晶体生长与设计
英文名称:
Crystal Growth & Design
期刊缩写:
Cryst. Growth Des.
影响因子:
3.2 (2023)
ISSN:
1528-7483
开放获取:
否
出版商:
American Chemical Society
出版周期:
Monthly
创刊年份:
2001
发文量:
898
自引率:
12.5%
中科院SCI期刊分区:
| 大类 | 小类 | TOP期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
2区 物理 |
化学综合 | 否 | 否 |
学科分类:
化学，多学科
引文评分:
| 引文评分 | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4.01 | 1.046 | 1.107 |
|
H指数:
139
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded
审稿时长:
Submission to First Editorial Decision (Median Days): 3.4
Submission to First Decision with Peer Review (Median Days): 30.5
Submission to Accept (Median Days): 76.9
Accept to ASAP Publication (Median Days): 13.1
目标和范围:
《晶体生长与设计》出版了与晶体材料的设计、生长和应用有关的物理、化学和生物现象和过程的理论和实验研究。鼓励来自不同学科和技术的协同方法，整合晶体生长、晶体工程、分子间相互作用和工业应用领域。
突出强调了晶体生长或分子组装的基本概念，并支持进一步了解组装条件与材料由此产生的性质或功能之间的关系。该杂志不会发表新材料形态的常规报告，除非这种形态导致功能或性能的显著改善。该期刊主要包括以下内容：
晶体工程(例如，有机、无机和混合固体)
无机、有机和生物物质的晶体生长(如生物矿化)
与结晶有关的分子组装过程，包括凝胶、液晶、胶体和无定形材料的形成
多态，多型性
新型功能纳米结构相的研究进展
固态分子间相互作用(如氢键、晶格能)
晶体生长过程的模拟
晶体结构和结晶习性的预测
固体中电子分布的测定和计算
成核理论
晶体生长中的分子动力学和输运现象
相变
溶剂化和结晶现象，结晶过程的模拟
工业结晶中的重大新思想
《晶体生长与设计》不包括晶体或分子结构的常规报告。
突出强调了晶体生长或分子组装的基本概念，并支持进一步了解组装条件与材料由此产生的性质或功能之间的关系。该杂志不会发表新材料形态的常规报告，除非这种形态导致功能或性能的显著改善。该期刊主要包括以下内容：
晶体工程(例如，有机、无机和混合固体)
无机、有机和生物物质的晶体生长(如生物矿化)
与结晶有关的分子组装过程，包括凝胶、液晶、胶体和无定形材料的形成
多态，多型性
新型功能纳米结构相的研究进展
固态分子间相互作用(如氢键、晶格能)
晶体生长过程的模拟
晶体结构和结晶习性的预测
固体中电子分布的测定和计算
成核理论
晶体生长中的分子动力学和输运现象
相变
溶剂化和结晶现象，结晶过程的模拟
工业结晶中的重大新思想
《晶体生长与设计》不包括晶体或分子结构的常规报告。
收录体裁:
Communications
Articles
Reviews
Perspectives
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Reviews
Perspectives
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本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。
若本页展示内容有任何问题，请与我们联系，邮箱:[email protected]，我们会认真核实处理。
本页部分内容由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。
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